2N7002是一款采用高单元密度和DMOS技术生产的N沟道增强型场效应晶体管。它将导通电阻降至最低，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它可用于要求高达400毫安DC的大多数应用，并可将脉冲电流输送至2A。适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制和功率MOSFET栅极驱动器。

    用于极低RDS(开)高饱和电流能力的高密度电池设计压控小信号开关坚固可靠

2N7002-VB是一款N沟道MOSFET晶体管，适用于多种电子设备和应用领域，具有低电压和小电流的特点。

• 适用于逻辑电平栅极驱动

• 表面贴装封装源极强化MOSFET技术

• 非常快速的开关

• 坚固可靠

2N7002-VB是一款N沟道MOSFET晶体管，适用于多种电子设备和应用领域，具有低电压和小电流的特点。以下是一些可能的应用领域：

1. 信号开关：2N7002-VB可用于低电压信号开关，如用于电子开关、传感器接口和信号处理电路。

2. 电源开关：虽然它的电流处理能力有限，但在一些小功率电源开关中也可以使用，适用于便携式设备、遥控器等。

3. 电压级移：这款MOSFET可用于电压级移电路，用于将信号从一个电压水平转移到另一个，适用于I2C和SPI通信。

4. 低功耗应用：由于其低电流和低电压特性，2N7002-VB适合用于低功耗电子设备，如电池供电的传感器和嵌入式系统。

5. 自动控制系统：它可以用于自动控制系统中的信号处理和开关功能，如温度控制、照明控制和电动门控制。

总之，2N7002-VB是一种多功能的N沟道MOSFET晶体管，适用于多种低电压、小电流应用，以提供卓越的性能和可靠性。它特别适用于需要信号开关和电压级移的应用。

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 最大值:280mA

电压, Vds 最大:60V

开态电阻, Rds(on):5ohm

电压 @ Rds测量:10V

电压, Vgs 最高:2.1V

功耗:0.2W

工作温度范围:-55to 150

封装类型:SOT-23

针脚数:3

SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)

SMD标号:702 / 7002 /K72 /S72 /3PG(2N7002G) /3PL(2N7002L) /72wll [1] 

功率, Pd:0.2W

外宽:3.05mm

外部深度:2.5mm

外部长度/高度:1.12mm

封装类型:SOT-23

带子宽度:8mm

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

温度 @ 电流测量:25°C

满功率温度:25°C

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:60V

电流, Id 连续:0.115A

电流, Idm 脉冲:0.8A

表面安装器件:表面安装

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm

阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V

阈值电压, Vgs th 最高:2.5V

SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

英文描述：200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET　封装：SOT-23, 3 PIN

1. source：漏极源极

2. gate：栅极

3. drain：漏极
   

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