晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:-5.3A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.08ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-1.7V
功耗:2.5W
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SMD标号:FDS9435A
功率, Pd:2.5W
封装类型:SOIC
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds:30V
电压, Vds 典型值:-30V
电流, Id 连续:5.3A
电流, Idm 脉冲:50A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.7V
阈值电压, Vgs th 最低:-1V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

应用简介：

FDS9435A-NL-VB是一款P-Channel沟道MOSFET，适用于多种电路和模块设计，特别是在需要高性能P-Channel MOSFET的应用中。

领域模块应用：

1. 电源模块：适用于开关电源、电源逆变器等模块设计，能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. 电池保护模块：用于电池充放电管理电路，提供高效的电池管理和保护功能。

3. 电机驱动模块：由于其高电流和低漏电压特性，可用于电机驱动和控制模块，提供可靠的电流输出和驱动性能。

4. LED照明模块：在需要P-Channel MOSFET的LED驱动电路中，FDS9435A-NL-VB可以用于开关电源设计，以实现高效的LED照明。

5. 电荷管理模块：适用于需要对电荷进行精确控制的模块，如电池充电管理、电池保护等。

请注意，以上是一些典型的应用场景，实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成FDS9435A-NL-VB时，建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。

SOP8；P—Channel沟道,-30V；-6A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5V；