产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：SingleQuadDrainTripleSource
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.031Ohms
汲极/源极击穿电压：60V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：6.2A
功率耗散：1.8W
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SO-8
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000

应用简介:

SI7850DP-T1-E3-VB是一款N-Channel MOSFET，适用于多种应用领域，包括但不限于：

1. 电源开关: 由于其N沟道性质，可用于电源开关和电源逆变器。

2. 电机驱动: 适用于直流电机和步进电机的高功率驱动电路，提供高效的电流控制。

3. 电源逆变器: 用于太阳能逆变器和其他电源逆变器，提供高效的能量转换。

4. 电源管理模块: 适用于各种高功率电源管理应用，如服务器电源、电动工具等。

请注意，在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册，以确保正确的使用和性能。

DFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；