产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：Single
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：60V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：1.9A
功率耗散：1090mW
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOT-23-3
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000

SI2308BDS-T1-GE3适用于多个应用领域。在电源管理、功率转换、驱动电路和开关电路等领域中，它可以实现电流控制和功率转换。此外，在汽车电子、消费电子和通信设备等领域，它也有潜在的应用。

N沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1~3Vth(V)；SOT23