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AP4435GM

2024-12-17 425次

概述

AP4435GM-VB是一款P沟道MOSFET晶体管,具有负电压承受能力和低导通电阻,适用于多种应用领域。

特性

应用简介:


该产品在不同领域模块上的应用:


1. 电源管理模块:

   AP4435GM-VB的负电压承受能力和低导通电阻使其成为电源管理模块的理想选择,特别适用于负电压开关和反向电源保护。


2. 电机控制模块:

   在电机控制应用中,这款MOSFET晶体管可用于电机驱动模块,用于控制电机的启停、速度调节和反向运行。其高电流承受能力使其适用于高性能电机控制。


3. LED照明:

   AP4435GM-VB可用于LED照明模块,用于控制LED灯的亮度和颜色。其低导通电阻有助于减小功率损耗,提供高效的照明解决方案。


4. 电池保护模块:

   该晶体管可用于电池管理和保护模块,用于控制电池充电和放电的开关,确保电池的安全和延长寿命。


5. 电子开关:

   AP4435GM-VB是理想的电子开关,可用于各种电子开关应用,如电子锁、继电器、开关电路和电子控制器,以控制电路的通断状态。


参数

P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V);-1.37Vth(V);SOP8