类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：-
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫欧 @ 3.5A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：3.8nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：300pF @ 10V
功率 - 最大：900mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74-6
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：6-TSOP

VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RDS(ON)）分别为22mΩ @ 4.5V和28mΩ @ 2.5V。此外，该产品支持12Vgs（±V）的驱动电压范围，其阈值电压范围为1.2~2.2V。

NTGD3148NT1G MOS管采用紧凑的SOT23-6封装，为各种电路设计提供了高度的灵活性和集成性。在多个领域都具有广泛的应用。在电源管理、开关电源和功率放大等领域，NTGD3148NT1G MOS管可以发挥其优越的电性能，实现高效能源转换。在电池管理系统中，该产品可用于电池充放电管理、保护及控制。此外，在电子设备中，它还可以用于信号放大和开关控制等功能，提供可靠的性能和稳定性。

总之，NTGD3148NT1G MOS管是VBsemi为满足不同领域需求而推出的高品质产品。其在电源管理、电池管理、信号放大和开关控制等领域的应用，为各种模块的设计提供了高效可靠的解决方案。

2个Nchannel,20V,4.8A,RDS(ON),22mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；1.2~2.2Vth(V)；SOT23-6