源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):14
最大漏极电流Id(on)(A):1.600
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
描述:20 V, 10 A功率MOSFET

NTMS10P02R2G-VB是一款P沟道MOSFET晶体管，具有负电压承受能力和低导通电阻，适用于多种应用领域。以下是该产品在不同领域模块上的应用：

1. 电源管理模块：

   NTMS10P02R2G-VB的负电压承受能力和低导通电阻使其成为电源管理模块的理想选择，特别适用于负电压开关和反向电源保护。

2. 电机控制模块：

   在电机控制应用中，这款MOSFET晶体管可用于电机驱动模块，用于控制电机的启停、速度调节和反向运行。其高电流承受能力使其适用于高性能电机控制。

3. LED照明：

   NTMS10P02R2G-VB可用于LED照明模块，用于控制LED灯的亮度和颜色。其低导通电阻有助于减小功率损耗，提供高效的照明解决方案。

4. 电池保护模块：

   该晶体管可用于电池管理和保护模块，用于控制电池充电和放电的开关，确保电池的安全和延长寿命。

5. 电子开关：

   NTMS10P02R2G-VB是理想的电子开关，可用于各种电子开关应用，如电子锁、继电器、开关电路和电子控制器，以控制电路的通断状态。

总之，NTMS10P02R2G-VB适用于需要负电压承受和开关控制的应用，如电源管理、电机控制、LED照明、电池保护和电子开关等领域的模块。其参数使其成为各种电子设备中的理想选择，以确保高效、可靠和稳定的运行，并提供精确的电路控制。

P沟道,-20V,-8A,RDS(ON),16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V,15Vgs(±V)；-0.6~-2Vth(V)；SOP8