源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):140
最大漏极电流Id(on)(A):2.500
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:30 V, 2.5 A,双功率MOSFET

NTR4503NT1G MOSFET在电子行业中的各个领域中都有应用，特别是以下领域：

电源供应单元（PSUs）：在电源管理中，NTR4503NT1G可用于电压调节和电流切换，提高电源模块的效率和稳定性。

电机控制模块：这款MOSFET适用于电机驱动电路，有效控制电机电流，提高整个系统的性能。

LED驱动模块：在LED驱动电路中，NTR4503NT1G可用作电流开关，用于控制LED的亮度，确保高效的电源分配。

DC-DC变换器：这款MOSFET可以集成到DC-DC变换器模块中，实现高效的电压转换和功率管理。

电池保护电路：这款N沟道MOSFET非常适用于电池保护应用，保护电池免受过充和过放的风险。

总之，VBsemi的NTR4503NT1G MOSFET是一款多用途的元件，适用于电源管理、电机控制、LED驱动器、DC-DC变换器和电池保护等领域。在这些应用领域中，需要控制电压、电流切换和功率管理的模块是使用此产品的主要候选对象。

N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2.2Vth(V)；SOT23