NTZD3154NT1G-VB是一款双N沟道MOSFET，适用于多种低功耗电子模块和应用，特别是在需要低电流开关和低导通电阻的情况下。

源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):550
最大漏极电流Id(on)(A):0.570
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):6SOT-563/-55~150
描述:20 V, 570 mA功率MOSFET带ESD保护

应用领域：

这种产品通常用在以下领域的模块上：

1. 电源开关模块：用于小功率电源管理和电流控制，如便携式设备。

2. 信号开关模块：用于模拟和数字信号开关和切换，如音频信号切换器和数据选择器。

3. 传感器接口模块：用于连接和管理传感器信号，如温度传感器和光传感器。

4. 低功耗应用模块：适用于需要极低静态功耗的电子设备，如传感器节点和便携式医疗设备。

5. 电池管理模块：在低功耗设备中，可用于电池充电和放电控制。

这款器件的低电流开关特性和低导通电阻使其适用于各种低功耗应用，有助于提高电子系统的性能和能效。

2个N沟道,20V,0.2A,RDS(ON),300mΩ@4.5V,350mΩ@2.5V,20Vgs(±V)；0.3Vth(V)；SC75-6